ROHM推电源高效能0V功率M出全新10助力AI服务器和工业

近期，推出ROHM。全新半导体。率M力公司发布了一款全新的和工100V功率。MOSFET。业电源高——RY7P250BM。推出这款器材专为48V。全新电源。率M力架构中的和工热插拔。电路规划。业电源高，推出广泛使用于。全新AI。率M力服务器及工业电源，和工尤其是业电源高在需求电池维护的场合。跟着。人工智能。技能的迅猛发展，数据。中心。面临着史无前例的核算需求，促进服务器的功耗逐年上升。尤其是生成性。AI技能。和高功能。GPU。的遍及，进一步加大了对进步电源功率的需求。

为了应对这一趋势，职业正逐渐从传统的12V电源体系向更高效的48V架构转型。在新的电源结构中，热插拔电路答应在服务器运转的一起安全地替换模块，这对MOSFET的功能提出了更高的要求。需求具有广大的安全作业区(SOA)和低导通电阻，以保证可以有用避免涌入。电流。和过载状况的产生。

RY7P250BM正是为满意这些要求而规划的。该器材将宽SOA与低导通电阻的优势整合在一个紧凑的8080尺度封装中，然后协助数据中心下降功耗和热办理担负，提高服务器的牢靠性和整体能效。跟着商场对8080尺度MOSFET需求的不断增加，RY7P250BM成为现有解决方案的抱负替代品。

在技能功能方面，RY7P250BM供给了广泛的SOA(VDS=48V, Pw=1ms/10ms)，十分合适热插拔使用。此外，其导通电阻高达职业抢先的1.86mΩ(VGS=10V, ID=50A, Tj=25°C)，这一数值比同尺度的其他100V宽SOA MOSFET的平均水平2.28mΩ低约18% 。这样的功能体现明显减少了功率损耗和热生成，提高了整体能效。

在AI服务器的热插拔电路中，广大的SOA显得尤为重要，由于这些体系常常需应对高涌入电流的应战。RY7P250BM规划用于有用处理这些状况，可以接受10ms的16A和1ms的50A，支撑高负载条件，这在传统MOSFET中往往难以实现。这一特性使得RY7P250BM成为电源规划中不可或缺的组件，尤其在需求高牢靠性和优异功能的使用场景中。

未来，ROHM方案进一步扩展其48V兼容的电源设备产品线，满意服务器和工业使用的需求。经过这些立异，ROHM期望可以推进更可继续的ICT基础设施建造，一起为客户供给更高效、更牢靠的电源解决方案。

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